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国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（CASAS）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》两项团体标准的起草与草案讨论（线上），助力加速第三代半导体国产化替代进程。
企业动态 2021-06-21
