日本的Nitride Semiconductors Co Ltd（于2000年从德岛大学分离出来，声称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管）已经开发出了它所说的第一个用作曝光系统光源的UV-LED。在半导体和PCB制造中。


目前，半导体制造中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯。但是，存在一些功能限制，例如待机时间长，寿命短，UV照度稳定性差以及开关控制不便。因此，由于环境问题，预计《联合国环境规划署水am公约》将促进向半导体（LED）光源的转换。


Nitride Semiconductors表示，新型NS365L-9RXT 365nm波长的UV-LED芯片表现出高效率，节能和长寿命，并且UV输出功率为3.2W（在3A 的正向电流I f和正向电压V下）f为4.6V）。


LED还具有适合于半导体曝光的窄方向角。为了精确曝光，需要平行光。然而，UV-LED光源通常具有宽的方向角（约120°），并且捕获用于曝光的光量趋于不足。


因此，通过将深反射器与具有高紫外线透射率的透镜组合，该公司获得了15°或更小的方向角。这使得可以将传统曝光系统的紫外线灯光源与紫外线LED交换，而不用购买新的紫外线LED曝光系统。


新的LED也非常紧凑，长9mm x宽9mm x高8.5mm，因此可以提高安装密度。


新型NS365L-9RXT UV-LED的批量生产每10,000件的单价约为50美元。


（来源：semiconductor-today）